2004年左右，第一个氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）才开始商用。这些晶体管通常用于需要高效能、高电压的射频基础设施。2008年，氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET在硅衬底上形成得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较

深圳市时代速信科技有限公司日前推出四款4W系列砷化镓高效率功率放大器芯片，频率分别覆盖：1.8-1.9GHz (型号GSP1P904AL)，2.1-2.2GHz (型号GSP2P204AL)，2.3-2.4GHz (型号GSP2P404AL)，3.3

深圳市时代速信科技有限公司日前达成一个重要里程碑：其量产的GSL809AD成为首款由国产射频芯片公司自主研发，并依据AEC-Q100-Rev-H (September 11，2014) 标准获得车规可靠性认证的射频低噪声放大器。该标准是由美国汽车电子

深圳市时代速信科技有限公司日前推出三颗2W系列微波线性功率放大器芯片，频率分别覆盖12-16GHz（型号GSP01502AQ）、16-20GHz（型号GSP01802AQ）和21-24GHz（型号GSP02302AQ），主要用于微波点对点通信、卫星通

[中国，上海，2022年2月9日]深圳市时代速信科技有限公司上海子公司在上海北外滩虹口区城投控股大厦揭牌。时代速信总经理邢利敏、虹口区相关领导、上海市人大代表马瑜代表、上汽集团杨辉博士、复旦大学田芊博士、他山之石企业管理（上海）有限公司林晓祥总经理、