氮化镓和砷化镓的区别与比较
砷化镓（gallium arsenide），化学式GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5
2021-05-13MORE+
GaN功率器件的发展现状
据Yole Developpement的报告“Power GaN 2012”，GaN功率器件有巨大的市场空间，2011年半导体功率器件市场空间约为177亿，预计到2020年该市场空间会增加8.1%，达到357亿。
2021-05-13MORE+
GaN PA器件逐渐深入基站高频应用
5G对于设备性能和功率效率提出了更高的要求，特别是在基站端，基站数量和单个基站成本双双上涨，这将会带来市场空间的巨大增长。依据蜂窝通信理论计算，要达到相同的覆盖率，估计中国5G宏基站数量要达到约500万个。2021年全球5G宏基站PA和滤波器市场将达到243.1亿元人民币。
2021-05-11MORE+
SiC器件市场预测与项目进展
全球SiC和GaN器件市场正处于高速增长的状态，在有更高要求的功率和射频等领域，SiC和GaN材料大放光彩，与传统硅材料不断抢夺市场份额。亚化咨询预计，未来几年内全球SiC和GaN器件市场将保持25%-40%的高增速。
2021-05-11MORE+
