新一代高功率密度、高频特性PA

LDMOS PA相比，效率提升10%；
GaN系列PA效率达到77%，增益达20dB；
SDSX GaN系列产品可与国际友商PIN-TO-PIN兼容，性能指标完全替代；
2021年实现5G基站全系列GaN产品量产。



第三代宽禁带半导体AlGaN/GaN HEMT以其优越的特性，是5G高频率、大功率通信主导者，具有无可替代的优势。
时代速信氮化镓功率放大器产品涵盖裸Die和内匹配器件，具有宽带、高效率、高增益的优异特性。
GaN功率放大器高效率特性，能够有效降低5G基站热功耗。
裸Die产品功率覆盖8W-100W，均能满足DC-6GHz以内的超宽带应用。内匹配放大器完全满足5G32T 及64T Massive MIMO应用。6G以下产品功率8W、15W、20W、35W、48W、65W、75W、80W、100W（可根据客户需求定制内匹配产品）