全球SiC和GaN器件市场正处于高速增长的状态，在有更高要求的功率和射频等领域，SiC和GaN材料大放光彩，与传统硅材料不断抢夺市场份额。亚化咨询预计，未来几年内全球SiC和GaN器件市场将保持25%-40%的高增速。

SiC器件正被广泛的应用于电子电力领域。耐高温、高频、大功率、高压等特性，使得SiC器件在轨道交通、电网、光伏逆变器、新能源汽车、充电桩等多个领域扮演着积极后进者的角色。2019年，SiC功率器件市场约为5亿美元。亚化咨询预计，到2025年，SiC功率器件市场将逼近35亿美元。

由于GaN在高频下具有较高的功率输出和较小的面积，GaN已被射频行业广泛采用。随着5G到来，GaN在Sub-6GHz宏基站和毫米波（24GHz以上）小基站中找到一席之地。而5G基站的大规模建设带来了巨大的GaN射频器件市场需求。2019年，GaN射频市场约为6.42亿美元。亚化咨询预计，到2025年GaN射频器件市场将超过30亿美元。

此外，GaN技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出等应用。目前GaN功率市场主要由快充带动。2020年，小米、OPPO、雷柏、omthing、柚能等相继发布了氮化镓充电器产品。GaN功率器件领域一直由EPC，GaN Systems，Transphorm和Navitas等纯GaN初创公司主导，他们的产品主要是TSMC、Episil或X-FAB代工生产。2019年，GaN功率器件市场约为0.9亿美元，亚化咨询预测，到2025年，GaN功率器件市场将达到4亿美元左右。

中国企业近年来快速布局第三代半导体器件领域。中国目前第三代半导体器件/模块生产企业有IDM同时也有代工，布局的项目约为30个，主要集中于江苏省、广东省、山东省等地，目前主要产品主要为SiC二极管、GaN功率器件、SiC功率模块等