紧跟国家发展战略，时代速信挑战“芯”高度
2004年左右，第一个氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）才开始商用。这些晶体管通常用于需要高效能、高电压的射频基础设施。2008年，氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET在硅衬底上形成得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较
2022-03-14MORE+
时代速信推出4W系列砷化镓高效率功率放大器芯片
深圳市时代速信科技有限公司日前推出四款4W系列砷化镓高效率功率放大器芯片，频率分别覆盖：1.8-1.9GHz (型号GSP1P904AL)，2.1-2.2GHz (型号GSP2P204AL)，2.3-2.4GHz (型号GSP2P404AL)，3.3
2022-03-08MORE+
时代速信射频低噪声放大器GSL809AD通过车规可靠性认证
深圳市时代速信科技有限公司日前达成一个重要里程碑：其量产的GSL809AD成为首款由国产射频芯片公司自主研发，并依据AEC-Q100-Rev-H (September 11，2014) 标准获得车规可靠性认证的射频低噪声放大器。该标准是由美国汽车电子
2022-03-03MORE+
时代速信推出三颗2W系列微波线性功率放大器芯片
深圳市时代速信科技有限公司日前推出三颗2W系列微波线性功率放大器芯片，频率分别覆盖12-16GHz（型号GSP01502AQ）、16-20GHz（型号GSP01802AQ）和21-24GHz（型号GSP02302AQ），主要用于微波点对点通信、卫星通
2022-02-22MORE+
时代速信祝您：新春快乐，虎年大吉！
2022-01-28MORE+
农历新年致辞：乘势而上，时速创新！
虎步奔腾开胜景，春风浩荡展鸿图！值此农历新年甫至之际，时代速信向所有信任和支持我们的客户、政府及商业伙伴、消费者等表示衷心的感谢，向默默支持的所有员工及家属敬礼，预祝大家春节快乐，身体健康，阖家幸福！回首2021年，时代速信以创新为先、以质量为本、以
2022-01-25MORE+
